Sensor piksel aktif (APS) adalah sensor gambar, yang ditemukan oleh Peter J.W. Noble pada tahun 1968, di mana setiap sel unit sensor piksel memiliki fotodetektor (biasanya fotodioda yang disematkan) dan satu atau beberapa transistor aktif. Dalam sensor piksel aktif metal-oksida-semikonduktor (MOS), transistor efek medan MOS (MOSFET) digunakan sebagai penguat. Ada berbagai jenis APS, termasuk APS NMOS awal dan APS MOS pelengkap (CMOS) yang sekarang jauh lebih umum, juga dikenal sebagai sensor CMOS. Sensor CMOS digunakan dalam teknologi kamera digital seperti kamera ponsel, kamera web, sebagian besar kamera saku digital modern, sebagian besar kamera refleks lensa tunggal digital (DSLR), kamera lensa yang dapat dipertukarkan (MILC), dan pencitraan tanpa lensa untuk sel.
Sensor CMOS muncul sebagai alternatif untuk sensor gambar charge-coupled device (CCD) dan pada akhirnya menjualnya pada pertengahan tahun 2000-an.
Istilah sensor piksel aktif juga digunakan untuk merujuk ke sensor piksel individual itu sendiri, dan bukan sensor gambar. Dalam hal ini, sensor gambar kadang-kadang disebut pencitra sensor piksel aktif, atau sensor gambar piksel aktif.
Sejarah
Latar belakang
Ketika meneliti teknologi metal-oxide-semiconductor (MOS), Willard Boyle dan George E. Smith menyadari bahwa muatan listrik dapat disimpan pada kapasitor MOS yang kecil, yang menjadi blok bangunan dasar perangkat charge-couple (CCD), yang mereka temukan pada tahun 1969. Masalah dengan teknologi CCD adalah kebutuhannya untuk transfer muatan yang hampir sempurna dalam pembacaan, yang, "membuat radiasi [toleransi?] 'lunak', sulit digunakan dalam kondisi cahaya rendah, sulit dibuat dalam ukuran array besar, sulit diintegrasikan dengan elektronik on-chip, sulit digunakan pada suhu rendah, sulit digunakan pada frekuensi gambar yang tinggi, dan sulit dibuat dalam bahan non-silikon yang memperpanjang respons panjang gelombang."
Di RCA Laboratories, sebuah tim peneliti yang terdiri dari Paul K. Weimer, W.S. Pike dan G. Sadasiv pada tahun 1969 mengusulkan sensor gambar solid-state dengan sirkuit pemindaian yang menggunakan transistor film tipis (TFT), dengan film fotokonduktif yang digunakan sebagai fotodetektor. Pencitraan N-channel MOSFET (NMOS) beresolusi rendah yang "sebagian besar digital" dengan amplifikasi intra-piksel, untuk aplikasi mouse optik, didemonstrasikan oleh Richard F. Lyon pada tahun 1981. Jenis teknologi sensor gambar lainnya yang terkait dengan APS adalah array bidang fokus inframerah hibrida (IRFPA), yang didesain untuk beroperasi pada suhu kriogenik dalam spektrum inframerah. Perangkat ini terdiri atas dua chip yang disatukan seperti roti lapis: satu chip berisi elemen detektor yang dibuat dalam InGaAs atau HgCdTe, dan chip lainnya biasanya terbuat dari silikon dan digunakan untuk membaca fotodetektor. Tanggal pasti asal mula perangkat ini dirahasiakan, tetapi perangkat ini sudah digunakan pada pertengahan tahun 1980-an.
Elemen kunci sensor CMOS modern adalah fotodioda yang disematkan (PPD). Ini ditemukan oleh Nobukazu Teranishi, Hiromitsu Shiraki dan Yasuo Ishihara di NEC pada tahun 1980, dan kemudian dilaporkan secara terbuka oleh Teranishi dan Ishihara bersama A. Kohono, E. Oda dan K. Arai pada tahun 1982, dengan penambahan struktur anti-mekar. Fotodioda yang disematkan adalah struktur fotodetektor dengan jeda rendah, noise rendah, efisiensi kuantum tinggi dan arus gelap rendah. Struktur fotodetektor baru yang ditemukan di NEC diberi nama "pinned photodiode" (PPD) oleh B.C. Burkey di Kodak pada tahun 1984. Pada tahun 1987, PPD mulai disatukan ke dalam sebagian besar sensor CCD, menjadi perlengkapan pada kamera video elektronik konsumen, dan kemudian kamera gambar diam digital. Sejak saat itu, PPD telah digunakan pada hampir semua sensor CCD dan kemudian sensor CMOS.
Sensor piksel pasif
Pendahulu APS adalah sensor piksel pasif (PPS), suatu jenis larik fotodioda (PDA). Sensor piksel pasif terdiri dari piksel pasif yang dibaca tanpa penguatan, dengan masing-masing piksel terdiri dari fotodioda dan sakelar MOSFET. Dalam larik fotodioda, piksel berisi sambungan p-n, kapasitor terintegrasi, dan MOSFET sebagai transistor pemilihan. Larik fotodioda diusulkan oleh G. Weckler pada tahun 1968, mendahului CCD. Ini adalah dasar untuk PPS, yang memiliki elemen sensor gambar dengan transistor pemilihan dalam piksel, yang diusulkan oleh Peter J.W. Noble pada tahun 1968, dan oleh Savvas G. Chamberlain pada tahun 1969.
Sensor piksel pasif diselidiki sebagai alternatif solid-state untuk perangkat pencitraan tabung vakum. Sensor piksel pasif MOS hanya menggunakan sakelar sederhana dalam piksel untuk membaca muatan terintegrasi fotodioda. Piksel disusun dalam struktur dua dimensi, dengan kabel pengaktifan akses yang digunakan bersama oleh piksel dalam baris yang sama, dan kabel keluaran yang digunakan bersama oleh kolom. Pada akhir setiap kolom terdapat sebuah transistor. Sensor piksel pasif memiliki banyak keterbatasan, seperti noise yang tinggi, pembacaan yang lambat, dan kurangnya skalabilitas. Array fotodioda awal (1960-an-1970-an) dengan transistor pilihan dalam setiap piksel, bersama dengan sirkuit multiplexer dalam chip, tidak praktis berukuran besar. Derau dari susunan fotodioda juga membatasi kinerja, karena kapasitansi bus pembacaan fotodioda mengakibatkan peningkatan tingkat derau pembacaan. Pengambilan sampel ganda berkorelasi (CDS) juga tidak dapat digunakan dengan susunan fotodioda tanpa memori eksternal. Pada tahun 1970-an, tidak memungkinkan untuk membuat sensor piksel aktif dengan ukuran piksel yang praktis, karena keterbatasan teknologi mikrolitografi pada saat itu. Karena proses MOS sangat bervariasi dan transistor MOS memiliki karakteristik yang berubah dari waktu ke waktu (ketidakstabilan V), operasi domain muatan CCD lebih dapat diproduksi dan memiliki kinerja yang lebih tinggi daripada sensor piksel pasif MOS.
Sensor piksel aktif
Sensor piksel aktif terdiri dari piksel aktif, masing-masing berisi satu atau lebih penguat MOSFET yang mengubah muatan yang dihasilkan foto menjadi tegangan, memperkuat tegangan sinyal, dan mengurangi noise. Konsep perangkat piksel aktif diusulkan oleh Peter Noble pada tahun 1968. Dia menciptakan susunan sensor dengan penguat pembacaan MOS aktif per piksel, yang pada dasarnya merupakan konfigurasi tiga transistor modern: struktur fotodioda yang terkubur, transistor pemilihan, dan penguat MOS.
Konsep piksel aktif MOS diimplementasikan sebagai perangkat modulasi muatan (CMD) oleh Olympus di Jepang pada pertengahan tahun 1980-an. Hal ini dimungkinkan oleh kemajuan dalam fabrikasi perangkat semikonduktor MOSFET, dengan penskalaan MOSFET mencapai tingkat mikron yang lebih kecil dan kemudian sub-mikron selama tahun 1980-an hingga awal 1990-an. MOS APS pertama dibuat oleh tim Tsutomu Nakamura di Olympus pada tahun 1985. Istilah sensor piksel aktif (APS) diciptakan oleh Nakamura sewaktu mengerjakan sensor piksel aktif CMD di Olympus. Pencitraan CMD memiliki struktur APS vertikal, yang meningkatkan faktor pengisian (atau mengurangi ukuran piksel) dengan menyimpan muatan sinyal di bawah transistor NMOS keluaran. Perusahaan semikonduktor Jepang lainnya segera mengikuti dengan sensor piksel aktif mereka sendiri selama akhir 1980-an hingga awal 1990-an. Antara tahun 1988 dan 1991, Toshiba mengembangkan sensor "transistor permukaan mengambang gerbang ganda", yang memiliki struktur APS lateral, dengan masing-masing piksel berisi fotogate MOS saluran terkubur dan penguat output PMOS. Antara tahun 1989 dan 1992, Canon mengembangkan sensor gambar yang tersimpan dalam basis (BASIS), yang menggunakan struktur APS vertikal, mirip dengan sensor Olympus, tetapi dengan transistor bipolar, bukan MOSFET.
Pada awal tahun 1990-an, perusahaan-perusahaan Amerika mulai mengembangkan sensor piksel aktif MOS yang praktis. Pada tahun 1991, Texas Instruments mengembangkan sensor CMD massal (BCMD), yang dibuat di cabang perusahaan di Jepang dan memiliki struktur APS vertikal yang mirip dengan sensor CMD Olympus, tetapi lebih kompleks dan menggunakan transistor PMOS, bukan NMOS.
Sensor CMOS
Pada akhir tahun 1980-an hingga awal 1990-an, proses CMOS sudah mapan sebagai proses manufaktur semikonduktor stabil yang terkendali dengan baik, dan merupakan proses dasar untuk hampir semua logika dan mikroprosesor. Ada kebangkitan dalam penggunaan sensor piksel pasif untuk aplikasi pencitraan kelas bawah, sementara sensor piksel aktif mulai digunakan untuk aplikasi fungsi tinggi beresolusi rendah seperti simulasi retina dan detektor partikel berenergi tinggi. Namun demikian, CCD tetap memiliki noise temporal dan noise pola tetap yang jauh lebih rendah dan merupakan teknologi yang dominan untuk aplikasi konsumen seperti camcorder serta kamera siaran, di mana CCD menggantikan tabung kamera video.
Pada tahun 1993, APS praktis pertama yang berhasil dibuat di luar Jepang, dikembangkan di Jet Propulsion Laboratory (JPL) NASA, yang membuat APS yang kompatibel dengan CMOS. Ini memiliki struktur APS lateral yang mirip dengan sensor Toshiba, tetapi dibuat dengan transistor CMOS, bukan PMOS. Ini adalah sensor CMOS pertama dengan transfer muatan intra-piksel.
Pada tahun 1999, Hyundai Electronics mengumumkan produksi komersial sensor gambar CMOS warna 800x600 piksel berdasarkan piksel 4T dengan fotodioda yang disematkan berkinerja tinggi dengan ADC terintegrasi dan dibuat dalam proses DRAM 0,5um dasar.
Sensor CMOS Photobit digunakan pada webcam yang diproduksi oleh Logitech dan Intel, sebelum Photobit dibeli oleh Micron Technology pada tahun 2001. Pasar sensor CMOS awal pada awalnya dipimpin oleh produsen Amerika, seperti Micron, dan Omnivision, yang memungkinkan Amerika Serikat untuk secara singkat merebut kembali sebagian pasar sensor gambar secara keseluruhan dari Jepang, sebelum akhirnya pasar sensor CMOS didominasi oleh Jepang, Korea Selatan, dan Tiongkok. Sensor CMOS dengan teknologi PPD semakin maju dan disempurnakan oleh RM Guidash pada tahun 1997, K. Yonemoto dan H. Sumi pada tahun 2000, dan I. Inoue pada tahun 2003. Hal ini menyebabkan sensor CMOS mencapai performa penggambaran yang setara dengan sensor CCD, dan kemudian melampaui sensor CCD.
Pada tahun 2000, sensor CMOS digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk kamera murah, kamera PC, faks, multimedia, keamanan, pengawasan, dan telepon video.
Industri video beralih ke kamera CMOS dengan munculnya video definisi tinggi (video HD), karena jumlah piksel yang besar akan memerlukan konsumsi daya yang jauh lebih tinggi dengan sensor CCD, yang akan membuat baterai menjadi panas dan menguras baterai. Sony pada tahun 2007 mengkomersialkan sensor CMOS dengan sirkuit konversi A/D kolom asli, untuk performa yang cepat dan rendah noise, diikuti pada tahun 2009 oleh sensor CMOS back-illuminated (sensor BI), dengan sensitivitas dua kali lipat sensor gambar konvensional.
Sensor CMOS kemudian memiliki dampak budaya yang signifikan, yang menyebabkan proliferasi massal kamera digital dan ponsel kamera, yang mendukung kebangkitan media sosial dan budaya selfie, serta berdampak pada pergerakan sosial dan politik di seluruh dunia. Pada tahun 2007, penjualan sensor piksel aktif CMOS telah melampaui sensor CCD, dengan sensor CMOS menguasai 54% pasar sensor gambar global pada waktu itu. Pada tahun 2012, sensor CMOS meningkatkan pangsa pasarnya menjadi 74%. Pada tahun 2017, sensor CMOS menguasai 89% penjualan sensor gambar global. Dalam beberapa tahun terakhir, [kapan?] teknologi sensor CMOS telah menyebar ke fotografi format menengah dengan Phase One menjadi yang pertama meluncurkan kamera digital format menengah dengan sensor CMOS buatan Sony.
Pada tahun 2012, Sony memperkenalkan sensor CMOS BI bertumpuk. Ada beberapa kegiatan penelitian yang sedang berlangsung di bidang sensor gambar. Salah satunya adalah quanta image sensor (QIS), yang mungkin merupakan pergeseran paradigma dalam cara kita mengumpulkan gambar dalam kamera. Dalam QIS, tujuannya adalah untuk menghitung setiap foton yang mengenai sensor gambar, dan memberikan resolusi kurang dari 1 juta hingga 1 miliar atau lebih elemen foto khusus (disebut jot) per sensor, dan membaca bidang bit jot ratusan atau ribuan kali per detik yang menghasilkan data terabit/detik. Ide QIS masih dalam tahap awal dan mungkin tidak akan pernah menjadi kenyataan karena kerumitan yang tidak diperlukan untuk menangkap gambar
Boyd Fowler dari OmniVision dikenal atas karyanya dalam pengembangan sensor gambar CMOS. Kontribusinya meliputi sensor gambar CMOS piksel digital pertama pada tahun 1994; sensor gambar CMOS linier ilmiah pertama dengan noise pembacaan RMS elektron tunggal pada tahun 2003; sensor gambar CMOS area multi-megapiksel ilmiah pertama dengan rentang dinamis tinggi secara simultan (86 dB), pembacaan cepat (100 frame/detik) dan noise pembacaan sangat rendah (1,2e- RMS) (sCMOS) pada tahun 2010. Beliau juga mematenkan sensor gambar CMOS pertama untuk sinar-X gigi inter-oral dengan sudut terpotong untuk kenyamanan pasien yang lebih baik.
Pada akhir tahun 2010-an, sensor CMOS sebagian besar atau bahkan seluruhnya telah menggantikan sensor CCD, karena sensor CMOS tidak hanya dapat dibuat di lini produksi semikonduktor yang ada, sehingga mengurangi biaya, tetapi juga mengonsumsi lebih sedikit daya, hanya untuk menyebutkan beberapa keuntungan.
HV-CMOS
Perangkat HV-CMOS adalah kasus khusus dari sensor CMOS biasa yang digunakan dalam aplikasi tegangan tinggi (untuk mendeteksi partikel berenergi tinggi) seperti CERN Large Hadron Collider yang membutuhkan tegangan tinggi hingga ~30-120V. Perangkat tersebut tidak digunakan untuk pengalihan tegangan tinggi. HV-CMOS biasanya diimplementasikan dengan zona deplesi n-doped sedalam ~ 10 μm (n-well) dari transistor pada substrat wafer tipe-p.
Perbandingan dengan CCD
Piksel APS memecahkan masalah kecepatan dan skalabilitas sensor piksel pasif. Sensor ini umumnya mengonsumsi daya lebih sedikit daripada CCD, memiliki jeda gambar yang lebih sedikit, dan memerlukan fasilitas produksi yang lebih sedikit. Tidak seperti CCD, sensor APS dapat menggabungkan fungsi sensor gambar dan fungsi pemrosesan gambar dalam sirkuit terpadu yang sama. Sensor APS telah menemukan pasar dalam banyak aplikasi konsumen, khususnya ponsel kamera. Sensor ini juga telah digunakan di bidang lain termasuk radiografi digital, akuisisi gambar militer berkecepatan sangat tinggi, kamera keamanan, dan mouse optik. Produsennya antara lain Aptina Imaging (spinout independen dari Micron Technology, yang membeli Photobit pada tahun 2001), Canon, Samsung, STMicroelectronics, Toshiba, OmniVision Technologies, Sony, dan Foveon. Sensor APS tipe CMOS biasanya sesuai untuk aplikasi yang mengutamakan pengemasan, manajemen daya, dan pemrosesan on-chip. Sensor tipe CMOS digunakan secara luas, dari fotografi digital kelas atas hingga kamera ponsel.
Keuntungan CMOS dibandingkan dengan CCD
Keuntungan utama sensor CMOS yaitu, biaya produksinya biasanya lebih murah daripada sensor CCD, karena elemen pengambilan gambar dan penginderaan gambar dapat dipadukan ke dalam IC yang sama, dan konstruksinya pun lebih sederhana.
Sensor CMOS juga biasanya memiliki kontrol yang lebih baik atas blooming (yaitu, pelepasan muatan foto dari piksel yang terlalu banyak cahaya ke piksel lain di dekatnya).
Dalam sistem kamera tiga sensor yang menggunakan sensor terpisah untuk menyelesaikan komponen merah, hijau, dan biru pada gambar bersama dengan prisma pembagi berkas, ketiga sensor CMOS bisa identik, sedangkan kebanyakan prisma pembagi mengharuskan salah satu sensor CCD harus gambar cermin dari dua sensor lainnya untuk membaca gambar dalam urutan yang kompatibel. Tidak seperti sensor CCD, sensor CMOS memiliki kemampuan untuk membalikkan pengalamatan elemen sensor. Sensor CMOS dengan kecepatan film ISO 4 juta sudah ada.
Kekurangan CMOS dibandingkan dengan CCD
Karena sensor CMOS biasanya menangkap satu baris pada satu waktu dalam waktu kira-kira 1/60 atau 1/50 detik (tergantung pada kecepatan penyegaran), maka, hal ini bisa menghasilkan efek "rana bergulir", di mana gambar menjadi miring (miring ke kiri atau ke kanan, tergantung pada arah pergerakan kamera atau subjek). Contohnya, apabila melacak mobil yang bergerak pada kecepatan tinggi, mobil tidak akan terdistorsi, tetapi latar belakangnya akan tampak miring. Sensor CCD transfer bingkai atau sensor CMOS "rana global" tidak memiliki masalah ini; sebaliknya, sensor ini menangkap seluruh gambar sekaligus ke dalam penyimpanan bingkai.
Keunggulan sensor CCD yang sudah lama ada yaitu, kemampuannya menangkap gambar dengan noise yang lebih rendah. Dengan perbaikan dalam teknologi CMOS, keunggulan ini sudah tidak ada lagi pada tahun 2020, dengan tersedianya sensor CMOS modern yang mampu mengungguli sensor CCD.
Sirkuit aktif dalam piksel CMOS mengambil sebagian area pada permukaan yang tidak peka cahaya, sehingga mengurangi efisiensi pendeteksian foton pada perangkat (lensa mikro dan sensor yang disinari cahaya latar bisa mengurangi masalah ini). Tetapi, CCD frame-transfer juga memiliki sekitar setengah area yang tidak peka untuk node penyimpan bingkai, sehingga keuntungan relatif bergantung pada jenis sensor yang dibandingkan.
Disadur dari : en.wikipedia.org